SSM14N956L,EFF, MOSFETs 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29226 шт., срок 7-9 недель
1 680 ֏
1 шт.
на сумму 1 680 ֏
Описание
Unclassified
SSM14N956L MOSFETToshiba SSM14N956L MOSFET features low source-source on-resistance and is RoHS compatible. The SSM14N956L MOSFET is halogen-free. This MOSFET provides 2.44W on the condition (t ≤ 10s) and operates at 150°C channel temperature and -55°C to 150°C storage temperature range. The R SS(ON) = 1.1mΩ (typ) (@V GS = 3.8V) and R SS(ON) = 1mΩ (typ) (@V GS = 4.5V) are the low source-source on-resistance. This SSM14N956L MOSFET is ideally used in battery protection circuits.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Fall Time: | 2.1 us |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 1.33 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 76 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
Rise Time: | 1.3 us |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 3.8 us |
Typical Turn-On Delay Time: | 1 us |
Vgs - Gate-Source Voltage: | +8 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 403 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг