T435-600B-TR, TRIAC Diode 600V 4A(RMS) 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32500 шт., срок 8-10 недель
348 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
от 7500 шт. —
317 ֏
2500 шт.
на сумму 870 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Discrete > TRIACs
Симистор 600В 4А 35мА 3Q (бесснабберный)
Технические параметры
| Gate Trigger Voltage (Vgt) | 1.3V |
| Gate Trigger Current(Igt) | 35mA |
| Holding Current (Ih) | 35mA |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃@(Tj) |
| Peak Repetitive Off?State Voltage (Vdrm) | 600V |
| RMS On-State Current(It (rms)) | 4A |
| SCR Type | 1个双向可控硅 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 486 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
