IKA08N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В, 6,8А, 15,6Вт, TO220FP, Серия: F5

Фото 1/2 IKA08N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В, 6,8А, 15,6Вт, TO220FP, Серия: F5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 200 ֏
от 10 шт.1 590 ֏
от 50 шт.1 370 ֏
от 100 шт.1 280 ֏
1 шт. на сумму 2 200 ֏
Номенклатурный номер: 8021106217

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IKA08N65F5XSKA1 от производителя INFINEON – это высокопроизводительный компонент, предназначенный для монтажа типа THT. Оснащенный корпусом PG-TO220-3-FP, этот IGBT транзистор характеризуется током коллектора на уровне 10,8 А и напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, что гарантирует его надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность устройства составляет 31,2 Вт, что делает его идеальным выбором для систем, требующих высокой эффективности и устойчивости к нагрузкам. Код товара IKA08N65F5XSKA1 подчеркивает уникальность и легкость идентификации продукта в ассортименте. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 10.8
Напряжение коллектор-эмиттер, В 650
Мощность, Вт 31.2
Корпус PG-TO220-3-FP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 31.2 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKA08N65F5 SP000973414
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10.8 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP 5 F5
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Вес, г 3.22

Техническая документация

Datasheet IKA08N65F5XKSA1
pdf, 2262 КБ