IGW50N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 270Вт, PG-TO247-3
![Фото 1/3 IGW50N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 270Вт, PG-TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806596.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/052/DOC045052412.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
4 230 ֏
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 30 шт. —
3 360 ֏
от 100 шт. —
3 040 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 230 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGW50N65F5FKSA1 от INFINEON – высокомощный полупроводниковый компонент, идеально подходящий для мощных электронных схем. С монтажом THT, этот транзистор обеспечивает стабильную работу при токе коллектора до 80 А и напряжении коллектор-эмиттер до 650 В, что делает его надежным выбором для промышленных применений. Мощность устройства достигает 270 Вт, что позволяет использовать его в требовательных энергетических системах. Этот IGBT транзистор упакован в прочный корпус PG-TO247-3, обеспечивающий его долговечность и стабильность. Код товара IGW50N65F5FKSA1 следует использовать при поиске деталей для упрощения процесса выбора и заказа. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 80 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
Мощность, Вт | 270 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IGW50N65F5 SP000973426 |
Pd - Power Dissipation: | 305 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Trenchstop IGBT5 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 305 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Вес, г | 8.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1944 КБ
Datasheet IGW50N65F5FKSA1
pdf, 1997 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 653 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 2 КБ