IXTP52P10P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, ТО220АВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 100 ֏
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, ТО220АВ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 52A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 26A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.845nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 2.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
