IXFP4N100PM, MOSFETs MSFT N-CH HIPERFET-POLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 10 шт. —
6 300 ֏
от 50 шт. —
4 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
Unclassified
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFETМощные МОП-транзисторы Polar™ Polar™ Мощные МОП-транзисторы сочетают в себе сильные стороны семейства Polar Standard с более быстрым корпусным диодом. Время обратного восстановления более быстрых корпусных диодов (t rr ) уменьшено, что делает их подходящими для управления двигателями с помощью фазосдвигающих мостов и источников бесперебойного питания (ИБП). Это семейство полевых МОП-транзисторов обеспечивает самое низкое значение R DS(on), низкое значение R thJC, низкую добротность g и улучшенные характеристики dv/dt.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.1 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220FP-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 Ohms |
| Rise Time: | 36 ns |
| Series: | HiPerFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 123 КБ
