IPD70R360P7S

Фото 1/4 IPD70R360P7S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
930 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.710 ֏
от 10 шт.570 ֏
от 100 шт.476 ֏
2 шт. на сумму 1 860 ֏
Номенклатурный номер: 8021208514

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 700В, 7,5А, 59,5Вт, PG-TO252 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 12.5 A
Pd - рассеивание мощности 59.5 W
Qg - заряд затвора 16.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 700 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 8 ns
Время спада 18 ns
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № IPD70R360P7S SP001491634
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия CoolMOS P7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 100 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 12.5A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 59.4W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 360mО© @ 3A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 700V
Vgs - Gate-Source Voltage 3.5V @ 150uA
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 12.5 A
Maximum Drain Source Resistance 0.36 Ω
Maximum Drain Source Voltage 700 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series 700V CoolMOS P7
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet
pdf, 998 КБ
Datasheet IPD70R360P7SAUMA1
pdf, 1188 КБ