IPD70R360P7S
![Фото 1/4 IPD70R360P7S](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757655.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/865/DOC024865297.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
930 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
710 ֏
от 10 шт. —
570 ֏
от 100 шт. —
476 ֏
2 шт.
на сумму 1 860 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 700В, 7,5А, 59,5Вт, PG-TO252 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 59.5 W |
Qg - заряд затвора | 16.4 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 18 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Другие названия товара № | IPD70R360P7S SP001491634 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | CoolMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CoolMOS P7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12.5A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 59.4W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 360mО© @ 3A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3.5V @ 150uA |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 12.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.36 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | 700V CoolMOS P7 |
Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 998 КБ
Datasheet IPD70R360P7SAUMA1
pdf, 1188 КБ