IXFB100N50P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 100А, 1890Вт, PLUS264™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 700 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 100А, 1890Вт, PLUS264™ Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 25 |
Fall Time: | 26 ns |
Forward Transconductance - Min: | 50 S |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | PLUS-264-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 240 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 49 mOhms |
Rise Time: | 29 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
Вес, г | 12.77 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 186 КБ
Littelfuse/IXYS IXFB100N50P
pdf, 161 КБ