IRFR3710ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 42A 140Вт 0,018Ом TO252AA
![Фото 1/6 IRFR3710ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 42A 140Вт 0,018Ом TO252AA](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757655.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179876.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172378.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071843.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
2 120 ֏
от 10 шт. —
1 980 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор полевой IRFR3710ZTRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD технологии. С током стока в 56 А и напряжением сток-исток в 100 В, данный транзистор способен обеспечить мощность до 140 Вт, что делает его идеальным выбором для различных силовых применений. Корпус DPAK обеспечивает надежную защиту и удобство в интеграции на печатные платы. Используйте IRFR3710ZTRPBF для повышения эффективности и надежности ваших электронных устройств. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 56 |
Напряжение сток-исток, В | 100 |
Мощность, Вт | 140 |
Корпус | DPAK |
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Вид | N-MOSFET | |
Монтаж | SMD | |
Мощность, Вт | 140 | |
Напряжение сток-исток, В | 100 | |
Тип | полевой | |
Ток стока, А | 56 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.015Ом | |
Power Dissipation | 140Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
Непрерывный Ток Стока | 42А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
Рассеиваемая Мощность | 140Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 | |
Fall Time: | 42 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 39 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 56 A | |
Manufacturer: | Infineon | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Part # Aliases: | IRFR3710ZTRPBF SP001560638 | |
Pd - Power Dissipation: | 140 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 100 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms | |
Rise Time: | 43 ns | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | |
Maximum Continuous Drain Current | 42 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Mounting Type | PCB Monut | |
Package Type | D-PAK | |
Вес, г | 0.551 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 671 КБ
IRFR3710ZPBF Datasheet
pdf, 359 КБ
Datasheet IRFR3710Z, IRFU3710Z, IRFU3710Z-701
pdf, 682 КБ