IPF039N08NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 710 ֏
от 2 шт. —
4 360 ֏
1 шт.
на сумму 4 710 ֏
Описание
Электроэлемент
Mosfet, N-Ch, 80V, 126A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon IPF039N08NF2SATMA1
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0035Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | StronglRFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 126А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Maximum Continuous Drain Current | 126 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Вес, г | 1.777 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1154 КБ
