IPP200N15N3-G, МОП транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 500 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 20 шт. —
850 ֏
1 шт.
на сумму 1 500 ֏
Описание
МОП-транзистор N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 150 W |
| Qg - заряд затвора: | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время нарастания: | 11 ns |
| Время спада: | 6 ns |
| Высота: | 15.65 mm |
| Длина: | 10 mm |
| Другие названия товара №: | SP000680884 IPP2N15N3GXK IPP200N15N3GXKSA1 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | OptiMOS |
| Конфигурация: | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 29 S |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 500 |
| Серия: | OptiMOS 3 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 14 ns |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Ширина: | 4.4 mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IPP200N15N3 G
pdf, 976 КБ
