RGW40TK65DGVC11, IGBTs TO3P 650V 16A TRNCH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 шт., срок 6-9 недель
7 400 ֏
от 10 шт. —
6 100 ֏
от 25 шт. —
5 700 ֏
от 100 шт. —
4 420 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Unclassified
RGW 650V Field Stop Trench IGBTsROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 27 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PFM-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | RGW40TK65D |
| Pd - Power Dissipation: | 61 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
