IRLS3034TRLPBF, Микросхема
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 600 ֏
1 шт.
на сумму 10 600 ֏
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 40В, 343А
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 343 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 108 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 1.35 |
