2DD1664Q-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 1А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 100 ֏
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 32В, 1А, 1Вт, SOT89 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 280 MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | 2DD16 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.48 mm |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 215 КБ
