SSM3K7002KFU,LXH, MOSFET SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss

SSM3K7002KFU,LXH, MOSFET SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8939 шт., срок 5-8 недель
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 489 ֏
Номенклатурный номер: 8021374533
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 17 ns
Id - Continuous Drain Current: 400 mA
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: USM-3
Pd - Power Dissipation: 700 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 390 pC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.75 Ohms
Rise Time: 3.6 ns
Series: SSM3K7002KFU
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 38 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 224 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг