IRFL9110TRPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
307 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
289 ֏
от 7500 шт. —
267 ֏
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 767 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 690 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Width | 3.7mm |
| Вес, г | 192.6 |
