BCX5210TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
234 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
141 ֏
от 150 шт. —
128 ֏
5 шт.
на сумму 1 170 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT89 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 150 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCX52 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Base Product Number | BCX5210 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 1W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Вес, г | 0.052 |
