IS61WV6416DBLL-10TLI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 2,4-3,6В, 10нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 480 ֏
1 шт.
на сумму 3 480 ֏
Описание
Микросхемы
Описание Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 2,4-3,6В, 10нс Характеристики | Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | DRAM |
Технические параметры
| Вид | SRAM |
| Тип | памяти |
| Access Time | 10ns |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 1Mb (64K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 737 КБ
Datasheet IS61WV6416DBLL-10TLI
pdf, 657 КБ
