IKB06N60TATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт. —
1 120 ֏
от 3000 шт. —
980 ֏
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 1 200 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
IKB06N60T, SP000014954
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 12А |
| Power Dissipation | 88Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1899-12-31 06:00:00 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-263 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKB06N60TATMA1
pdf, 652 КБ
