WMJ80N65F2, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141 шт., срок 8 недель
15 900 ֏
от 3 шт. —
11 300 ֏
от 10 шт. —
7 800 ֏
от 30 шт. —
7 000 ֏
1 шт.
на сумму 15 900 ֏
Номенклатурный номер: 8021495054
Бренд: Wayon
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 45A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 26.2nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 37mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 410W |
| Pulsed drain current | 245A |
| Reverse recovery time | 190ns |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.19 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
