IXFH18N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 830Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 100 ֏
от 10 шт. —
16 400 ֏
от 30 шт. —
14 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 100 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 830Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Pd - рассеивание мощности | 830 W |
Qg - заряд затвора | 90 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 660 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 33 ns |
Время спада | 13 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFH18N100 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 37 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4890pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 9A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Вес, г | 6.18 |
Техническая документация
Datasheet IXFH18N100Q3
pdf, 849 КБ
Datasheet IXFH18N100Q3
pdf, 130 КБ