IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 400 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 22 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IHW30N65R6 is the 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 65 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.26В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 65А |
| Power Dissipation | 163Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IHW30N65R6XKSA1
pdf, 1793 КБ
