GD150HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 150А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

37 500 ֏

от 2 шт. — 34 600 ֏

от 3 шт. — 33 500 ֏

1 шт. на сумму 37 500 ֏

Номенклатурный номер: 8021572328

Бренд: STARPOWER

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Модуль IGBT 1200В 150А

Collector Emitter Saturation Voltage	3.1В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	280А
DC Ток Коллектора	280А
Power Dissipation	1.147кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.1В
Рассеиваемая Мощность	1.147кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	NPT Ultra Fast IGBT
Вес, г	335