TTC3710B,S4X, Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors Silicn NPN Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1971 шт., срок 6-9 недель
2 000 ֏
1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 160 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 15 A |
| DC Current Gain hFE Max: | 240 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 251 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
