IXTA05N100HV, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,75А, 40Вт, TO263HV, 710нс
![IXTA05N100HV, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,75А, 40Вт, TO263HV, 710нс](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC034545510.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 940 ֏
от 3 шт. —
4 360 ֏
от 10 шт. —
3 380 ֏
от 50 шт. —
2 760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 940 ֏
Технические параметры
Case | TO263HV |
Drain current | 0.75A |
Drain-source voltage | 1kV |
Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 17Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 40W |
Reverse recovery time | 710ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.5 |