IXTP36N30P, Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 36А, 300Вт, TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 600 ֏
от 10 шт. —
4 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXTP36N30P
pdf, 251 КБ
