IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор полевой (N-канал 1,5А 800В SOT-223-3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.45 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS P7 |
| Drain Source On State Resistance | 3.8Ом |
| Power Dissipation | 6Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.8Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPN80R4K5P7ATMA1
pdf, 1031 КБ
