BC856A-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 350мВт, SOT23

Фото 1/3 BC856A-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 350мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
58 ֏
от 10 шт.31 ֏
1 шт. на сумму 58 ֏
Номенклатурный номер: 8021863700
Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 350мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Вид PNP
Тип биполярный
Base Product Number BC856 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 65V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Maximum Collector Base Voltage -80 V
Maximum Collector Emitter Voltage -65 V
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 125
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 382 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 428 КБ
Datasheet
pdf, 312 КБ