IHW40N135R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
![Фото 1/2 IHW40N135R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC029974986.jpg)
2 730 ֏
от 5 шт. —
2 290 ֏
от 9 шт. —
2 150 ֏
от 18 шт. —
2 080 ֏
1 шт.
на сумму 2 730 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Технические параметры
Корпус | PG-TO-247-3 | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1350 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±25 V | |
Maximum Power Dissipation | 394 W | |
Package Type | PG-TO247-3 | |
Pin Count | 3 | |
Channel Type | N | |
Collector Current (DC) | 80(A) | |
Configuration | Single | |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Operating Temperature (Max) | 175C | |
Operating Temperature (Min) | -40C | |
Operating Temperature Classification | AUTOMOTIVEC | |
Packaging | Rail/Tube | |
Rad Hardened | No | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В | |
Collector Emitter Voltage Max | 1.35кВ | |
Continuous Collector Current | 80А | |
Power Dissipation | 394Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IHW40N135R5XKSA1
pdf, 1767 КБ
Datasheet IHW40N135R5XKSA1
pdf, 1829 КБ
Документация
pdf, 1842 КБ