SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А
![SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC043437006.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 ֏
от 5 шт. —
670 ֏
от 25 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
402 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 250 ֏
Описание
Si3 TrenchFET® Power MOSFETs Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® Power MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. These Si3 MOSFETs are also offered in different VGS and VDS ranges. Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and offer ultra-low RDS(ON) for high efficiency. The series incorporates Si technology and operates at a temperature range of -55°C to 150°C. Typical applications include load switches and DC to DC converters.
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 4.1 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TSOP-6 |
Part # Aliases: | SI3458BDV-T1-BE3 SI3458BDV-GE3 |
Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
Rise Time: | 17 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 285 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 107 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 169 КБ