IPP040N06NAKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 700 ֏
от 2 шт. —
9 100 ֏
1 шт.
на сумму 9 700 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор IPP040N06NAKSA1 производства INFINEON предназначен для использования в силовой электронике. Этот N-MOSFET транзистор отличается высокой надежностью и эффективностью благодаря току стока в 80 А и напряжению сток-исток в 60 В. Мощность устройства достигает 107 Вт, что позволяет ему справляться с серьезными нагрузками. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,004 Ом, обеспечивая высокую производительность и минимальные потери мощности. Монтаж осуществляется методом THT, что упрощает интеграцию транзистора в различные электронные схемы. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную защиту и удобство монтажа. Для приобретения этого высококачественного компонента укажите код IPP040N06NAKSA1 без пробелов и специальных символов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 80 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 107 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.004 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A(Ta), 80A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 30V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 107W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 80A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Standard Package | 500 |
| Supplier Device Package | PG-TO-220-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 50ВµA |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.8(Typ) |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | OptiMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 38 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2700 30V |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 19 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.3V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 107 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | TO-220 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Width | 4.57mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 499 КБ
Datasheet IPP040N06NAKSA1
pdf, 495 КБ
Datasheet IPP040N06NAKSA1
pdf, 532 КБ
Документация
pdf, 525 КБ
