FDN338P, полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23
![FDN338P, полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395286.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8750 шт. с центрального склада, срок 13 дней
32 ֏
Кратность заказа 250 шт.
Добавить в корзину 250 шт.
на сумму 8 000 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8021967877
Бренд: JSMicro Semiconductor
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
20V 2.8A 400mW 112mΩ@2.8A,4.5V 1V@250uA 1PCSPChannel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 405 | |
Заряд затвора, нКл | 5.5 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | -20 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -1, 6 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 120 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | P | |
Упаковка | REEL, 3000 шт. | |
Continuous Drain Current (Id) | 5A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@4.5V, 5A | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - | |
Power Dissipation (Pd) | - | |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - | |
Type | 1PCSPChannel | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1851 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг