SI2319DDS-T1-GE3, 40V 75m@2.7A,10V 2.5V@250uA 1PCSPChannel SOT-23-3TO-236-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
263 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
209 ֏
от 150 шт. —
187 ֏
от 500 шт. —
157 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 315 ֏
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 204 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 70 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 56 КБ
