MMST4403-7-F, TRANS PNP 40V 0.6A SOT323

MMST4403-7-F, TRANS PNP 40V 0.6A SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
58 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.49 ֏
от 500 шт.40 ֏
от 3000 шт.36 ֏
20 шт. на сумму 1 160 ֏
Номенклатурный номер: 8022386086
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMST44
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 750 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet MMST4403-7
pdf, 99 КБ
Datasheet MMST4403-7-F
pdf, 100 КБ