DSS45160FDB-7, TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6

DSS45160FDB-7, TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
291 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.256 ֏
от 100 шт.225 ֏
от 500 шт.212 ֏
3 шт. на сумму 873 ֏
Номенклатурный номер: 8022394534
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 405 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 170 at - 2 V at - 100 ma at - 2 V, 290 at 100 mA a
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A, 1.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V, 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V, 7 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A, 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 175 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок U-DFN2020-6
Вес, г 1