IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3
![IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3](https://static.chipdip.ru/lib/794/DOC032794800.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 630 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 5 260 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 42 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-220-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2051 КБ