RFN20NS6STL
![RFN20NS6STL](https://static.chipdip.ru/lib/423/DOC043423362.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 шт., срок 8-10 недель
1 470 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 60 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
720 ֏
20 шт.
на сумму 29 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Fast Recovery Diodes ROHM Semiconductor Fast Recovery Diodes improve the efficiency of the switching power supply. The Fast Recovery Diodes reduce switching loss, have a recommended storage temperature of +20°C to +30°C, and humidity of 40% to 60% (RH). The highly efficient fast recovery diodes offer low noise and minimal loss. ROHM Semiconductor Fast Recovery Diodes are excellent for free-wheel PFCs and IGBTs and are Standard or AEC-Q101 Qualified.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
If - Forward Current: | 20 A |
Ir - Reverse Current: | 50 nA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Max Surge Current: | 100 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | TO-263S-3 |
Part # Aliases: | RFN20NS6S |
Peak Reverse Voltage: | 600 V |
Product Category: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
Product Type: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
Product: | General Purpose Diodes |
Recovery Time: | 40 ns |
Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
Vf - Forward Voltage: | 1.25 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг