Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT ...

HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6124 шт., срок 7-9 недель

436 ֏

1 шт. на сумму 436 ֏

Номенклатурный номер: 8005268426

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1C01
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-26-6
Brand	Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.1 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	150 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min	120
DC Current Gain HFE Max	400
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	80 MHz
Manufacturer	Toshiba
Maximum DC Collector Current	150 mA
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-26-6
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	300 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	HN1C01
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	0.03