UMW SI2306A
![UMW SI2306A](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2315 шт., срок 8-10 недель
28 ֏
Мин. кол-во для заказа 63 шт.
от 100 шт. —
22 ֏
от 500 шт. —
20 ֏
Добавить в корзину 63 шт.
на сумму 1 764 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 мОм/4A, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
Крутизна характеристики, S | 6.9 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.5A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.25W | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 57mО© @ 3.5A,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Техническая документация
Datasheet SI2306A
pdf, 1649 КБ
Datasheet UMW SI2306A
pdf, 1556 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 28 августа1 | бесплатно |
HayPost | 1 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг