CSD13385F5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
106 ֏
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
16 шт.
на сумму 1 696 ֏
Описание
МОП-транзистор 12V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 3-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7.1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 0.35 mm |
| Длина | 1.53 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11.3 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD13385F5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Ширина | 0.77 mm |
| Base Product Number | CSD13385 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 674pF @ 6V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 900mA, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | FemtoFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@900mA, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 674pF@6V |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5nC@4.5V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 972 КБ
