CSD16401Q5T

CSD16401Q5T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 980 ֏
от 10 шт.1 760 ֏
от 30 шт.1 580 ֏
1 шт. на сумму 1 980 ֏
Номенклатурный номер: 8022708944
Бренд: Texas Instruments

Описание

N-канал 25V 100A (Ta) 3,1W (Ta) Поверхностный монтаж 8-VSON-CLIP (5x6)

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 100 A
Pd - рассеивание мощности 156 W
Qg - заряд затвора 21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 30 ns
Время спада 12.7 ns
Высота 1 mm
Длина 6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение NexFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 168 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 250
Серия CSD16401Q5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 20 ns
Типичное время задержки при включении 16.6 ns
Торговая марка Texas Instruments
Упаковка / блок VSON-CLIP-8
Ширина 5 mm
Base Product Number CSD16401 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 12.5V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series NexFETв„ў ->
Supplier Device Package 8-VSON-CLIP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250ВµA
Вес, г 0.1285

Техническая документация

Datasheet
pdf, 394 КБ