IRF540PBF
![Фото 1/7 IRF540PBF](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827691.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/218/DOC000218162.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC022341867.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC035064058.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC035064062.jpg)
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 890 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 20А, 150Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Category | Power MOSFET |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.51x4.65x15.49 mm |
Forward Diode Voltage | 2.5 V |
Forward Transconductance | 8.7 S |
Height | 15.49 mm |
Length | 10.51 mm |
Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.077 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature Range | -55 to+175 °C |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 72 nC &&64; 10 V |
Typical Input Capacitance @ Vds | 1700 pF &&64; 25 V |
Typical Turn On Delay Time | 11 ns |
Typical TurnOff Delay Time | 53 ns |
Width | 4.65 mm |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Вес, кг | 2.89 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 152 КБ
Datasheet
pdf, 272 КБ
IRF540 datasheet
pdf, 177 КБ
Документация
pdf, 275 КБ
Datasheet IRF540
pdf, 151 КБ