IKW15T120
![IKW15T120](https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC012912221.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 560 ֏
от 10 шт. —
3 070 ֏
от 30 шт. —
2 690 ֏
от 100 шт. —
2 370 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 560 ֏
Описание
Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 30А, 110Вт, PG-TO247-3
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current At 25 C | 30 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938 |
Pd - Power Dissipation | 110 W |
Product Category | IGBT Transistors |
Product Type | IGBT Transistors |
Series | TRENCHSTOP IGBT |
Subcategory | IGBTs |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
Height | 20.9 mm |
Length | 15.9 mm |
RoHS | Details |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 38 |