SI4128DY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
285 ֏
от 30 шт. —
272 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 1 920 ֏
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
| Другие названия товара № | SI4128DY-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V, 8 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 5 |
