SSM3K56CT,L3F, 20V 800mA 500mW 235m ё@800mA,4.5V 1V@1mA null SOT-883 MOSFETs ROHS
![SSM3K56CT,L3F, 20V 800mA 500mW 235m ё@800mA,4.5V 1V@1mA null SOT-883 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC007036396.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8670 шт., срок 8-10 недель
62 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
15 шт.
на сумму 930 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор Small Low ON Resistane МОП-транзисторs
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Qg - заряд затвора | 1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 186 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.38 mm |
Длина | 1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 8.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | CST3-3 |
Ширина | 0.6 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K56CT.L3F
pdf, 203 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг