CSD18534KCS
![Фото 1/2 CSD18534KCS](https://static.chipdip.ru/lib/273/DOC006273105.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531398.jpg)
1 320 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 150 ֏
от 30 шт. —
960 ֏
2 шт.
на сумму 2 640 ֏
Описание
МОП-транзистор 60V N-Chnl NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 98 W |
Qg - заряд затвора | 19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 4.8 ns |
Время спада | 2.4 ns |
Высота | 16.51 mm |
Длина | 10.67 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | CSD18534KCS |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 10.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.2 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 100 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.5 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 107000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | NexFET |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | TO-220 |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 2.4 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19 10V|9.3 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1500 30V |
Typical Rise Time (ns) | 4.8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10.4 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.2 |
Техническая документация
Datasheet CSD18534KCS
pdf, 775 КБ