IRF830APBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 8-10 недель
294 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 940 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8022787538
Бренд: JSMicro Semiconductor
Описание
550V 4A 33W 2.2Ω@10V,2A 4V@250uA 1PCSNChannel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 550 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | 50 |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@3A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 620pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 74W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, кг | 49.4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 88 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
