2SK3878(STA1,E,S)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 8-10 недель
940 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 880 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание MOSFET транзистор TO-3P[N]
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1300@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | pi-MOS IV |
| Standard Package Name | TO-3PN |
| Supplier Package | TO-3PN |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 60 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 60@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2200@25V |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet - 2SK3878
pdf, 210 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
