TK10A80E,S4X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1099 шт., срок 8-10 недель
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 780 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220SIS |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK10A80E,S4X
pdf, 219 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
