DTA114EMFHAT2L
![DTA114EMFHAT2L](https://static.chipdip.ru/lib/665/DOC006665792.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1890 шт., срок 8-10 недель
76 ֏
Кратность заказа 270 шт.
от 540 шт. —
72 ֏
от 1080 шт. —
63 ֏
Добавить в корзину 270 шт.
на сумму 20 520 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS DIGITAL PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Другие названия товара № | DTA114EMFHA |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-416-3 |
Техническая документация
Datasheet DTA114EMFHAT2L
pdf, 1221 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг